白光干涉儀S neox的微電子領(lǐng)域應(yīng)用

產(chǎn)品簡介

白光干涉儀S neox的微電子領(lǐng)域應(yīng)用:Sensofar S neox為微電子制造提供非接觸式3D計量，應(yīng)用于晶圓平整度、TSV通孔、封裝凸點及MEMS器件的高精度快速測量，助力工藝控制與良率提升。

產(chǎn)品型號：

更新時間：2025-11-14

廠商性質(zhì)：代理商

訪問量：66

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

三維光學(xué)輪廓儀

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白光干涉儀S neox的微電子領(lǐng)域應(yīng)用

微電子技術(shù)持續(xù)向著更小的線寬、更復(fù)雜的三維集成結(jié)構(gòu)發(fā)展，對制造過程中的計量檢測提出了持續(xù)的要求。無論是前道工藝的晶圓監(jiān)測，還是后道的封裝測試，都需要非接觸、高精度、高效率的測量手段。Sensofar S neox 3D光學(xué)輪廓儀結(jié)合了白光干涉和共聚焦等技術(shù)，在微電子領(lǐng)域的一些環(huán)節(jié)中可作為測量方案的一種選擇。

在晶圓制造中，化學(xué)機械拋光后晶圓的全局平整度和納米尺度的表面粗糙度是需要監(jiān)控的參數(shù)。S neox的白光干涉模式適合測量晶圓的納米級粗糙度，而其大面積自動拼接功能可以評估晶圓的翹曲（Warp）和彎曲（Bow）等整體形貌參數(shù)。

對于三維集成電路中關(guān)鍵的硅通孔技術(shù)，通孔的深度、直徑、側(cè)壁形貌是工藝控制的重點。S neox可以通過高倍物鏡對通孔結(jié)構(gòu)進(jìn)行三維形貌測量。雖然光學(xué)方法在測量高深寬比通孔的底部時會面臨挑戰(zhàn)，但其對于通孔開口形貌、附近區(qū)域形變以及較淺通孔的測量仍能提供有用信息。共聚焦模式對側(cè)壁粗糙度的評估也有一定幫助。

在優(yōu)良封裝領(lǐng)域，凸點的高度、共面性、焊盤的平整度直接影響鍵合的質(zhì)量和可靠性。S neox可以快速掃描整個芯片或基板上的凸點陣列，一次性獲取所有凸點的三維高度和位置信息，自動計算高度分布、共面性參數(shù)，效率高于單點探測。

對于MEMS器件，需要精確測量可動結(jié)構(gòu)的靜態(tài)形貌，如懸臂梁的厚度、微鏡面的平整度等。S neox的白光干涉模式能提供納米級的分辨率。通過測量施加驅(qū)動電壓前后結(jié)構(gòu)的高度變化，可以間接分析其運動特性。

此外，在失效分析中，S neox可以用于觀察和測量電路表面的缺陷，如劃痕、殘留物、腐蝕坑等，并提供三維尺寸信息。

需要注意的是，隨著特征尺寸的不斷縮小，光學(xué)衍射極限可能成為限制。此時，需要根據(jù)具體的結(jié)構(gòu)尺寸和測量目標(biāo)來評估S neox的適用性。但對于許多微米級及以上尺度的結(jié)構(gòu)，以及納米級的表面粗糙度和臺階高度測量，Sensofar S neox能夠提供一種有價值的非接觸、快速的三維計量手段，輔助工藝開發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量控制。