3D光學輪廓儀S neox在半導體領域應用

產(chǎn)品簡介

3D光學輪廓儀S neox在半導體領域應用:Sensofar S neox通過白光干涉與共聚焦技術，為晶圓翹曲、TSV通孔、CMP平整度及MEMS器件提供高精度三維測量，助力半導體工藝研發(fā)與質(zhì)量控制。

產(chǎn)品型號：

更新時間：2025-11-20

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三維光學輪廓儀

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3D光學輪廓儀S neox在半導體領域應用

半導體技術作為信息產(chǎn)業(yè)的基石，其制造工藝不斷向著更小的線寬、更復雜的三維結(jié)構(gòu)發(fā)展。無論是優(yōu)良的芯片封裝技術如TSV（硅通孔），還是微機電系統(tǒng)（MEMS）器件，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的尺寸、形狀、粗糙度以及缺陷情況，直接關系到最終產(chǎn)品的性能和可靠性。在這些環(huán)節(jié)的質(zhì)量控制與工藝研發(fā)中，非接觸、高精度的三維表面測量技術顯得尤為重要。Sensofar S neox 3D光學輪廓儀，結(jié)合了白光干涉和共聚焦技術，為半導體行業(yè)提供了一種測量方案。

在半導體制造中，晶圓的翹曲和應力是一個常見參數(shù)。過大的翹曲會影響光刻的對準精度，并可能導致后續(xù)工藝中的破裂。S neox憑借其大面積拼接能力和快速的共聚焦掃描模式，可以對整個晶圓或大尺寸樣品進行面形測量，快速獲取全場的三維形貌數(shù)據(jù)，評估翹曲度和應力分布，為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持。

對于三維集成電路中常見的硅通孔（TSV）結(jié)構(gòu)，其深寬比和側(cè)壁形貌是工藝控制的重點。傳統(tǒng)的白光干涉儀在測量高深寬比結(jié)構(gòu)時可能會遇到衍射效應等挑戰(zhàn)。S neox通過其5物鏡集成轉(zhuǎn)盤的變焦技術，可以靈活選擇不同倍率、不同工作距離的物鏡，以適應不同的結(jié)構(gòu)尺寸。同時，其共聚焦模式能夠?qū)?cè)壁的粗糙度進行有效評估，而白光干涉模式則能對孔底的平坦度進行精細測量，這種多模式協(xié)作使得對復雜結(jié)構(gòu)的全面表征成為可能。

在化學機械拋光（CMP）后，晶圓表面的平整度和納米級別的表面缺陷直接影響到后續(xù)薄膜沉積的質(zhì)量。S neox的白光干涉模式在此類光滑表面的測量中能發(fā)揮其優(yōu)勢，提供亞納米級的分辨率，精確量化表面的粗糙度參數(shù)，并能夠通過其高對比度的光學成像系統(tǒng)，快速定位和識別微米甚至亞微米尺度的劃痕、顆粒等缺陷。

此外，在MEMS器件的特性分析中，雖然S neox本身不是高速攝像機，但其高精度的靜態(tài)形貌測量能力對于表征微彈簧的彈性系數(shù)、懸臂梁的靜態(tài)位移等參數(shù)有用。通過測量器件在施加電壓前后形貌的變化，可以間接推導出其工作特性，為設計和驗證提供依據(jù)。

Sensofar S neox的3D光學輪廓儀在半導體領域的應用，體現(xiàn)了其對行業(yè)特定需求的響應能力。它通過提供快速、全面且非破壞性的三維測量數(shù)據(jù)，幫助工程師和研究人員深入理解工藝結(jié)果，輔助研發(fā)周期，并為生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性提供信息。

3D光學輪廓儀S neox在半導體領域應用

上一個：3D光學輪廓儀S neox的自動化測量方案