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在微納加工領(lǐng)域，1μm及以下線寬電極的制備一直是科研工作者面臨的重大挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)光刻技術(shù)受限于勻膠工藝、光學(xué)衍射極限等因素，難以實(shí)現(xiàn)高精度圖形化。今天，我們將揭秘如何利用澤攸科技DMD無(wú)掩膜光刻機(jī)突破這一技術(shù)瓶頸！三大關(guān)鍵技術(shù)突破1.精密勻膠控制?采用AR-P-5350光刻膠，嚴(yán)格控制膠層厚度在1μm?"低速-高速"兩步旋涂法，確保膠膜均勻性?精確控制前烘溫度和時(shí)間，提升膠膜附著力2.智能曝光系統(tǒng)?通過(guò)QCAD/Klayout軟件實(shí)現(xiàn)圖形原位設(shè)計(jì)?智能劑量?jī)?yōu)化算法自動(dòng)匹配最佳曝...

在微納制造和精密測(cè)量領(lǐng)域，高深寬比結(jié)構(gòu)的精確測(cè)量一直是技術(shù)難點(diǎn)。本文將深入探討數(shù)值孔徑(NA)與深寬比的關(guān)系，以及如何選擇合適的光學(xué)系統(tǒng)來(lái)解決這一難題。數(shù)值孔徑(NA)與深寬比的關(guān)系數(shù)值孔徑(NA)是決定光學(xué)系統(tǒng)分辨率的關(guān)鍵參數(shù)，它直接影響物鏡的消位置色差能力和測(cè)量性能。從圖中可見(jiàn)：?NA越大：通光量越大，進(jìn)光量減少，適合測(cè)量角度信息，具有更好的水平分辨率?NA越小：通光量越小，進(jìn)光量增加，更適合測(cè)量寬深比較大的樣品應(yīng)用案例一：深孔結(jié)構(gòu)測(cè)量在深孔測(cè)量中，結(jié)構(gòu)光路受限導(dǎo)致光強(qiáng)衰...

西班牙Sensofar三維共聚焦白光干涉儀(以旗艦型Sneox為例)的優(yōu)點(diǎn)集中體現(xiàn)在多技術(shù)融合、無(wú)運(yùn)動(dòng)部件設(shè)計(jì)、超高速掃描、全尺度表面覆蓋、真彩色成像五大核心領(lǐng)域，以下為具體分析：多技術(shù)融合：一機(jī)覆蓋全場(chǎng)景需求Sneox創(chuàng)新性地將共聚焦顯微技術(shù)、白光干涉技術(shù)、相位差干涉技術(shù)和多焦面疊加技術(shù)集成于同一測(cè)量頭。用戶無(wú)需更換硬件或插拔模塊，僅通過(guò)軟件即可自動(dòng)切換測(cè)量模式：共聚焦模式：以0.10μm橫向分辨率實(shí)現(xiàn)臨界尺寸測(cè)量，150倍物鏡下可測(cè)70°光滑表面斜率(粗糙表面達(dá)86°)；...

在航空航天、電子器件等領(lǐng)域，Cu-Ni-Sn合金憑借高強(qiáng)度、抗腐蝕、安全無(wú)毒等優(yōu)勢(shì)，成為關(guān)鍵部件的“優(yōu)選材料”——比如高功率密度柴油機(jī)的連桿襯套，就依賴其優(yōu)異性能保障運(yùn)行。但長(zhǎng)期以來(lái)，傳統(tǒng)鑄造工藝始終受困于“枝晶偏析”難題，嚴(yán)重制約合金性能提升。近日，中北大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)借助澤攸科技ZEM18臺(tái)式掃描電鏡，開(kāi)展放電等離子燒結(jié)（SPS）制備Cu-6Ni-6Sn合金的系統(tǒng)研究，不僅成功破解偏析困境，更驗(yàn)證了短流程制備技術(shù)的可行性。今天，我們就來(lái)拆解這項(xiàng)研究的核心突破，以及ZEM18如...

一、EUV掩模：芯片制造的“光學(xué)模板”與傳統(tǒng)透射式光掩模不同，EUV掩模采用反射式設(shè)計(jì)（因EUV光易被材料吸收）。其表面吸收層的高度變化需精確控制，才能實(shí)現(xiàn)13.5nm極紫外光的精準(zhǔn)反射與衍射。關(guān)鍵挑戰(zhàn)：?吸收層臺(tái)階高度誤差需?多層膜表面粗糙度要求二、Sneox測(cè)量系統(tǒng)：亞納米精度的三大突破1.白光干涉技術(shù)通過(guò)分析反射光干涉條紋的相位變化，實(shí)現(xiàn)三維形貌納米級(jí)重建，可精準(zhǔn)捕捉吸收層微結(jié)構(gòu)：2.0.01nm縱向分辨率相當(dāng)于1個(gè)硅原子直徑的1/20，能檢測(cè)到肉眼不可見(jiàn)的膜層凸起或凹...

一、CMP：芯片制造的“精密地基”化學(xué)機(jī)械平面化（CMP）通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，選擇性去除材料表面凸起，使晶圓達(dá)到納米級(jí)平整度。這種工藝是集成電路（IC）和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）量產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)，確保多層芯片結(jié)構(gòu)的精確堆疊。若表面存在微小不規(guī)則，芯片性能將大幅下降。CMP如同一位“微觀泥瓦匠”，為每一層電路鋪設(shè)的基礎(chǔ)平面。二、拋光墊：CMP的“隱形功臣”CMP的關(guān)鍵消耗材料是拋光墊，其凹槽設(shè)計(jì)直接影響拋光效果。長(zhǎng)期使用會(huì)導(dǎo)致凹槽堵塞或表面釉化（拋光殘留物堆積），降低...

在航空航天、汽車(chē)制造、半導(dǎo)體等高級(jí)工業(yè)領(lǐng)域，材料的微觀組織結(jié)構(gòu)直接決定其力學(xué)性能、耐蝕性及使用壽命。從金屬合金的晶粒度到復(fù)合材料的界面結(jié)合，從涂層材料的孔隙率到焊接接頭的相組成，這些“隱形特征”需通過(guò)金相分析才能被精準(zhǔn)捕捉。徠卡金相顯微鏡憑借高分辨率光學(xué)系統(tǒng)、多模態(tài)成像技術(shù)及智能化分析軟件，成為材料科學(xué)家與工業(yè)質(zhì)檢工程師的“微觀手術(shù)刀”，在0.1微米的尺度上雕刻出材料性能的“基因圖譜”。一、超高清成像：從“模糊晶界”到“原子級(jí)襯度”的光學(xué)突破傳統(tǒng)金相顯微鏡在觀察高碳鋼、鈦合金...

非接觸式粗糙度測(cè)量?jī)x憑借激光、光學(xué)干涉等無(wú)損檢測(cè)技術(shù)，已成為精密制造領(lǐng)域表面質(zhì)量評(píng)估的核心工具。然而，其測(cè)量結(jié)果易受環(huán)境干擾、設(shè)備老化及操作誤差影響，因此嚴(yán)格遵循校準(zhǔn)規(guī)范是確保數(shù)據(jù)可靠性的關(guān)鍵。本文從校準(zhǔn)環(huán)境、標(biāo)準(zhǔn)器具、操作流程及記錄追溯四方面，解析非接觸式粗糙度測(cè)量?jī)x校準(zhǔn)的核心要求。一、校準(zhǔn)環(huán)境：控制干擾因子，奠定精度基礎(chǔ)校準(zhǔn)環(huán)境需滿足溫度、濕度、振動(dòng)及潔凈度的嚴(yán)格條件。通常要求溫度穩(wěn)定在（20±2）℃，濕度控制在40%-65%RH，以減少熱脹冷縮和靜電對(duì)光學(xué)...